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  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव मिमी वेव उच्च आवृत्ति रेडियो कोएक्सियल कोएक्स ब्रॉडबैंड
  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव मिमी वेव उच्च आवृत्ति रेडियो कोएक्सियल कोएक्स ब्रॉडबैंड
  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव मिमी वेव उच्च आवृत्ति रेडियो कोएक्सियल कोएक्स ब्रॉडबैंड

    • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव मिमी वेव उच्च आवृत्ति रेडियो कोएक्सियल कोएक्स ब्रॉडबैंड

    विशेषताएँ:

    • ब्रॉडबैंड
    • छोटे आकार का

    अनुप्रयोग:

    • दूरसंचार
    • सैटकॉम
    • प्रयोगशाला परीक्षण
    • उपकरण

    आरएफ बायस टी एक ऐसा उपकरण है जो एम्पलीफायरों, लेजर डायोड, फोटोडायोड या ऑप्टिकल मॉड्यूलेटर जैसे सक्रिय उपकरणों के लिए बायस धारा या बायस वोल्टेज प्रदान करता है।

    साथ ही, उच्च गति और अल्ट्रा वाइडबैंड सिग्नलों को न्यूनतम सिग्नल क्षीणन के साथ गुजरने की अनुमति देता है। कुछ बायसिंग उपकरण नियंत्रण प्राप्त करने के लिए मॉड्युलेटेड AISG सिग्नलों को बाहरी LOC मॉड्युलेशन और डिमॉड्यूलेशन के माध्यम से एक साथ प्रेषित कर सकते हैं।

    बायसिंग डिवाइस के डिजाइन में कई कारकों पर विचार करने की आवश्यकता होती है, और आम तौर पर कई आवश्यकताओं को पूरा करने की आवश्यकता होती है:

    1. स्थिरता: बायस टी विभिन्न तापमानों, वोल्टेज और अन्य वातावरणों के तहत कार्य बिंदु की स्थिरता बनाए रख सकता है;
    2. रैखिकता: माइक्रोवेव बायस टी विभिन्न इनपुट सिग्नल के तहत आउटपुट सिग्नल के रैखिक संबंध को बनाए रखने में सक्षम है;
    3. बिजली की खपत: प्रदर्शन सुनिश्चित करते हुए बिजली की खपत को यथासंभव कम करने में सक्षम।

    मिलीमीटर वेव बायस टीज़ का उपयोग विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में व्यापक रूप से किया जाता है। उदाहरण के लिए, ऑडियो सिग्नल प्रोसेसिंग में, कुछ सर्किटों को सिग्नल प्रवाह सुनिश्चित करने के लिए विशिष्ट बायस वोल्टेज की आवश्यकता होती है; वायरलेस संचार में, मिमी वेव बायस टीज़ का उपयोग आमतौर पर मॉडेम सर्किट में किया जाता है; एम्पलीफायर सर्किट में, सिग्नल प्रवर्धन क्षेत्र को एक प्रभावी फ़िडेलिटी प्रवर्धन सीमा तक बायस करने के लिए एक बायसर का उपयोग किया जाता है, जिससे सिग्नल विरूपण से बचा जा सकता है और स्थिरता में सुधार होता है।

    क्वालवेव इंक द्वारा प्रदान की गई कोएक्सियल बायस टीज़ में तीन संस्करण शामिल हैं: मानक संस्करण, उच्च आरएफ पावर संस्करण और क्रायोजेनिक संस्करण।

    सबसे पहले, हम मानक संस्करण का परिचय देते हैं।
    आवृत्ति रेंज 16KHz~67GHz है।
    अधिकतम आरएफ शक्ति 20W है।
    कनेक्टर्स में शामिल हैं: एसएमए, एसएमबी, पिन, 1.85 मिमी, 2.4 मिमी, 2.92 मिमी, एन, आदि।
    अंतर हानि सीमा 0.6 से 5dB तक है।
    वोल्टेज रेंज 0-50V है, और 72V जैसे विकल्प भी उपलब्ध हैं।
    उच्च आरएफ पावर संस्करण का प्रदर्शन भी उत्कृष्ट है।
    आवृत्ति रेंज 5MHz से 40GHz है।
    अधिकतम आरएफ शक्ति 150w है।
    कनेक्टर्स में शामिल हैं: एसएमए, पिन, 2.92 मिमी, एन, आदि।
    अंतर हानि सीमा 0.5 से 1.5dB तक है।
    वोल्टेज रेंज 0-60V है, और 100V जैसे विकल्प भी उपलब्ध हैं।
    अपने उत्पाद की आवश्यकताओं के बारे में हमसे संवाद करने के लिए ग्राहकों का स्वागत है।

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    मानक बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (W अधिकतम) सम्मिलन हानि (dB अधिकतम) वीएसडब्ल्यूआर (अधिकतम) वोल्टेज (V) वर्तमान (ए) कनेक्टर लीड समय (सप्ताह)
    क्यूबीटी-16के-43000 16के～43 - 3.5 2 50 0.75 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-16के-50000 16K～50 - 3.5 2.6 25 0.5 2.4 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-16के-67000 16के～67 - 4 1.9(टाइप) 25 0.5 1.85 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-26500 30K～26.5 - 3 2.2 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-40000 30K～40 - 4 2 50 0.75 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-50000 30K～50 - 4 2.6 25 0.5 2.4 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-67000 30K～67 - 4 2.6 25 0.5 1.85 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-0.1-6000 100K～6 1 1.5 1.5 0~50 1 एसएमए, पिन 2~4
    क्यूबीटी-0.5-2000 500K～2 - 2 1.45 50 6.5 N 2~4
    क्यूबीटी-10-4200-एन 0.01～4.2 5 0.8 1.25 72 2.5 N 2~4
    क्यूबीटी-10-5200-एस 0.01～5.2 5 0.8 1.25 72 2.5 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-10-40000 0.01～40 10 2.2 2 25 0.5 2.92 मिमी, पिन 2~4
    क्यूबीटी-10-50000 0.01～50 2 मिनट।) 3 2 40 0.5 2.4 मिमी, एसएमबी 2~4
    क्यूबीटी-100-6000-एस 0.1～6 1 1.5 1.5 50 0.5 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-18000-एस 0.1～18 10 1.8(टाइप) 1.6(टाइप) 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-26500-एस 0.1～26.5 10 2(प्रकार) 1.8(टाइप) 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-40000 0.1～40 5 3.5(टाइप) 1.8(टाइप) 120 2 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-200-12000-एस 0.2～12 10 0.6 1.8 0~36 0.14@36V एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-1000-44000 1～44 20 5 1.8(टाइप) 16 2 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-18000-40000 18～40 - 2 2 10 0.3 2.92 मिमी 2~4
    क्यूबीटी-24900-25100 24.9～25.1 1 0.8 2 9~30 0.03@30V, 0.11@9V 2.92 मिमी 2~4
    उच्च आरएफ पावर बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (W अधिकतम) सम्मिलन हानि (dB अधिकतम) वीएसडब्ल्यूआर (अधिकतम) वोल्टेज (V) वर्तमान (ए) कनेक्टर लीड समय (सप्ताह)
    क्यूबीटीपी-5-700-एस 0.005～0.7 150 0.5 1.8 0~48 3.13@48वी एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-10-8000 0.01～8 100 0.7(टाइप.) 1.4(टाइप) 50 2.5 एसएमए, एन, पिन 2~4
    क्यूबीटीपी-10-12000 0.01～12 100 2(प्रकार) 1.5(टाइप) 100 2.5 एसएमए, एन, पिन 2~4
    क्यूबीटीपी-9000-11000-एस 9～11 50 0.5 2 28 2 एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-18000-40000-के 18～40 30 1.2 2 50 1 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-18000-40000-के-1 18～40 60 1.2 2 60 1 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्रायोजेनिक बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (W अधिकतम) सम्मिलन हानि (dB अधिकतम) वीएसडब्ल्यूआर (अधिकतम) वोल्टेज (V) वर्तमान (ए) कनेक्टर लीड समय (सप्ताह)
    क्यूसीबीटी-100-1000 0.1~1 - 0.15 - - - एसएमए 2~4

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