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  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव (मिमी वेव) उच्च आवृत्ति रेडियो समाक्षीय समाक्षीय ब्रॉडबैंड
  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव (मिमी वेव) उच्च आवृत्ति रेडियो समाक्षीय समाक्षीय ब्रॉडबैंड
  • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव (मिमी वेव) उच्च आवृत्ति रेडियो समाक्षीय समाक्षीय ब्रॉडबैंड

    • बायस टीज़ आरएफ माइक्रोवेव मिलीमीटर वेव (मिमी वेव) उच्च आवृत्ति रेडियो समाक्षीय समाक्षीय ब्रॉडबैंड

    विशेषताएँ:

    • ब्रॉडबैंड
    • छोटे आकार का

    आवेदन:

    • दूरसंचार
    • सैटकॉम
    • प्रयोगशाला परीक्षण
    • उपकरण

    आरएफ बायस टी एक ऐसा उपकरण है जो एम्पलीफायर, लेजर डायोड, फोटोडायोड या ऑप्टिकल मॉड्यूलेटर जैसे सक्रिय उपकरणों के लिए बायस करंट या बायस वोल्टेज प्रदान करता है।

    साथ ही, न्यूनतम सिग्नल क्षीणन के साथ उच्च गति और अल्ट्रा वाइडबैंड सिग्नलों को गुजरने की अनुमति देता है। कुछ बायसिंग डिवाइस नियंत्रण प्राप्त करने के लिए बाहरी LOC मॉड्यूलेशन और डीमॉड्यूलेशन के माध्यम से मॉड्यूलेटेड AISG सिग्नलों को एक साथ प्रसारित कर सकते हैं।

    बायसिंग डिवाइस के डिजाइन में कई कारकों को ध्यान में रखना आवश्यक है, और आमतौर पर इसे कई आवश्यकताओं को पूरा करना होता है:

    1. स्थिरता: बायस टी विभिन्न तापमानों, वोल्टेज और अन्य वातावरणों के तहत कार्य बिंदु की स्थिरता बनाए रख सकता है;
    2. रैखिकता: माइक्रोवेव बायस टी विभिन्न इनपुट संकेतों के तहत आउटपुट सिग्नल के रैखिक संबंध को बनाए रखने में सक्षम है;
    3. बिजली की खपत: प्रदर्शन सुनिश्चित करते हुए बिजली की खपत को यथासंभव कम करने में सक्षम।

    मिलीमीटर वेव बायस टीज़ का उपयोग विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में व्यापक रूप से किया जाता है। उदाहरण के लिए, ऑडियो सिग्नल प्रोसेसिंग में, कुछ सर्किटों को सिग्नल प्रवाह सुनिश्चित करने के लिए विशिष्ट बायस वोल्टेज की आवश्यकता होती है; वायरलेस संचार में, मिलीमीटर वेव बायस टीज़ का उपयोग आमतौर पर मॉडेम सर्किटों में किया जाता है; एम्पलीफायर सर्किटों में, बायसर का उपयोग सिग्नल प्रवर्धन क्षेत्र को प्रभावी फिडेलिटी प्रवर्धन सीमा तक बायस करने के लिए किया जाता है, जिससे सिग्नल विरूपण से बचा जा सके और स्थिरता में सुधार हो सके।

    क्वालवेव इंक. द्वारा प्रदान किए गए कोएक्सियल बायस टीज़ में तीन संस्करण शामिल हैं: मानक संस्करण, उच्च आरएफ पावर संस्करण और क्रायोजेनिक संस्करण।

    सबसे पहले, हम मानक संस्करण का परिचय देते हैं।
    आवृत्ति सीमा 16KHz से 67GHz तक है।
    अधिकतम आरएफ पावर 20 वाट है।
    इन कनेक्टर्स में SMA, SMB, PIN, 1.85mm, 2.4mm, 2.92mm, N आदि शामिल हैं।
    अंतर हानि की सीमा 0.6 से 5 dB तक है।
    वोल्टेज रेंज 0-50V है, और इसमें 72V जैसे विकल्प भी मौजूद हैं।
    उच्च आरएफ पावर वाले संस्करण का प्रदर्शन भी उत्कृष्ट है।
    इसकी आवृत्ति सीमा 5MHz से 40GHz तक है।
    अधिकतम आरएफ पावर 150 वाट है।
    इन कनेक्टर्स में SMA, PIN, 2.92mm, N आदि शामिल हैं।
    अंतर हानि की सीमा 0.5 से 1.5 dB तक है।
    वोल्टेज रेंज 0-60V है, और 100V जैसे विकल्प भी उपलब्ध हैं।
    हम ग्राहकों का स्वागत करते हैं कि वे अपनी उत्पाद संबंधी आवश्यकताओं के बारे में हमसे संवाद करें।

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    मानक बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (अधिकतम वाट) इंसर्शन लॉस (dB अधिकतम) VSWR (अधिकतम) वोल्टेज (V) धारा (ए) कनेक्टर लीड टाइम (सप्ताह)
    क्यूबीटी-16के-43000 16K～43 - 3.5 2 50 0.75 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-16के-50000 16K～50 - 3.5 2.6 25 0.5 2.4 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-16के-67000 16K～67 - 4 1.9(टाइप.) 25 0.5 1.85 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-26500 30K～26.5 - 3 2.2 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-40000 30K～40 - 4 2 50 0.75 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-50000 30,000 से 50,000 तक - 4 2.6 25 0.5 2.4 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-30के-67000 30K～67 - 4 2.6 25 0.5 1.85 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-0.1-6000 100K～6 1 1.5 1.5 0~50 1 एसएमए, पिन 2~4
    क्यूबीटी-0.5-2000 500K～2 - 2 1.45 50 6.5 N 2~4
    क्यूबीटी-10-4200-एन 0.01～4.2 5 0.8 1.25 72 2.5 N 2~4
    क्यूबीटी-10-5200-एस 0.01～5.2 5 0.8 1.25 72 2.5 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-10-40000 0.01～40 10 2.2 2 25 0.5 2.92 मिमी, पिन 2~4
    क्यूबीटी-10-50000 0.01～50 2 मिनट।) 3 2 40 0.5 2.4 मिमी, एसएमबी 2~4
    क्यूबीटी-100-6000-एस 0.1～6 1 1.5 1.5 50 0.5 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-18000-एस 0.1～18 10 1.8(टाइप.) 1.6(टाइप.) 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-26500-एस 0.1～26.5 10 2(टाइप.) 1.8(टाइप.) 50 0.7 एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-100-40000 0.1～40 5 3.5(टाइप.) 1.8(टाइप.) 120 2 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-200-12000-एस 0.2～12 10 0.6 1.8 0~36 0.14@36V एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-1000-44000 1～44 20 5 1.8(टाइप.) 16 2 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटी-18000-40000 18～40 - 2 2 10 0.3 2.92 मिमी 2~4
    क्यूबीटी-24900-25100 24.9～25.1 1 0.8 2 9~30 0.03@30V, 0.11@9V 2.92 मिमी 2~4
    उच्च आरएफ पावर बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (अधिकतम वाट) इंसर्शन लॉस (dB अधिकतम) VSWR (अधिकतम) वोल्टेज (V) धारा (ए) कनेक्टर लीड टाइम (सप्ताह)
    क्यूबीटीपी-5-700-एस 0.005～0.7 150 0.5 1.8 0~48 3.13@48V एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-10-8000 0.01～8 100 0.7(टाइप.) 1.4(टाइप.) 50 2.5 एसएमए, एन, पिन 2~4
    क्यूबीटीपी-10-12000 0.01～12 100 2(टाइप.) 1.5(टाइप.) 100 2.5 एसएमए, एन, पिन 2~4
    क्यूबीटीपी-9000-11000-एस 9～11 50 0.5 2 28 2 एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-18000-40000-के 18～40 30 1.2 2 50 1 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्यूबीटीपी-18000-40000-के-1 18～40 60 1.2 2 60 1 2.92 मिमी, एसएमए 2~4
    क्रायोजेनिक बायस टी
    भाग संख्या आवृत्ति (GHz) आरएफ पावर (अधिकतम वाट) इंसर्शन लॉस (dB अधिकतम) VSWR (अधिकतम) वोल्टेज (V) धारा (ए) कनेक्टर लीड टाइम (सप्ताह)
    क्यूसीबीटी-100-1000 0.1~1 - 0.15 - - - एसएमए 2~4

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